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南玻院科技成果获国家技术发明二等奖

南玻院科技成果获国家技术发明二等奖

分类:
集团要闻
来源:
发布时间:
2015/01/09
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  本网讯 1月9日,国家科学技术奖励大会在?#26412;?#38534;重举行,中材科技南京玻纤院科技成果“耐烧蚀复合材料用碳纤维多向预成型体结构设计、控制、制备及应用”获得2014年度国家技术发明二等奖。党和国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽出席大会并为获奖代表颁奖。朱建勋教授作为获奖代表?#37038;?#20102;颁奖。

  耐烧蚀复合材?#31995;?#24615;能是航天飞行器先进性与可靠性的决定因素之一,现代飞行器距离增加、速度加快,对耐烧蚀复合材料需进一步实现轻质高强、耐烧蚀等要求。由朱建勋教授领衔完成的“耐烧蚀复合材料用碳纤维多向预成型体结构设计、控制、制备及应用”成果系统研究了三维编织预成型体结构设计、控制、制备及应用技术,发明的可变微单元技术、减细纤维束编织技术、锥形预成型体微结构等技术达到国际领?#20154;?#24179;,形成了完全自主知识产权的三维多向预成型体设计、研制、生产体系,打破了国外的技术封锁,提高了我国耐烧蚀复合材料研究和应用水平。取得授权发明专利4 项,登记软件著作权4 件,发表研究论文10 余篇,项目成果先后在多个重点航天飞行器获得成功应用,为我国航天飞行器小型化、增程发挥了关键作用,意义深远,效益巨大。

  又讯?#21644;?#26085;,由扬州中科半导体照明有限公司作为第二单位参与完成的“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料及芯片技术”项目获得2014国家技术发明奖二等奖。

  以氮化镓基发光二极管为基础的半导体固态照明由于具有节能、绿色环保等优点,广泛应用于景观照明、路灯、背光照明和民用照明等领域。低热阻高光效GaN基LED是实现半导体照明的关键技术。由中科院半导体所李晋闽研究员和扬州中科王国宏研究员领衔完成的“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料及芯片技术”成果系统研究了在蓝宝石衬底上异质外延高质量GaN LED材料以及芯片技术设计,技术指标达到国际领?#20154;?#24179;,形成了完全自主知识产权,打破了国外的技术封锁,提高了我国GaN基LED半导体照明技术水平。

 

朱建勋教授作为获奖代表?#37038;?#39041;奖

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